خبرونه
-
LiTaO3 Wafer PIC - د آن چپ غیر خطي فوټونیکونو لپاره د ټیټ زیان لیتیم ټانټلیټ آن انسولټر ویو لارښود
لنډیز: موږ د 0.28 dB/cm له لاسه ورکولو سره د 1550 nm انسولټر پراساس لیتیم ټینټلیټ ویو ګایډ رامینځته کړی او د 1.1 ملیون د رینګ ریسونټر کیفیت فاکتور. په غیر خطي فوتونیکونو کې د χ(3) غیر خطي غوښتنلیک مطالعه شوی. د لیتیم نوبیټ ګټې ...نور ولولئ -
XKH - د پوهې شریکول - د ویفر ډیسینګ ټیکنالوژي څه ده؟
د ویفر ډیسینګ ټیکنالوژي ، د سیمیکمډکټر تولید پروسې کې د یو مهم ګام په توګه ، په مستقیم ډول د چپ فعالیت ، حاصلاتو او تولید لګښتونو سره تړاو لري. #01 د ویفر ډیسینګ شالید او اهمیت 1.1 د ویفر ډیسینګ تعریفنور ولولئ -
پتلی فلم لیتیم ټینټلیټ (LTOI): د تیز رفتار ماډلټرانو لپاره د راتلونکي ستوري توکي؟
د پتلی فلم لیتیم ټانتلایټ (LTOI) مواد د مدغم آپټیکس ساحه کې د پام وړ نوي ځواک په توګه راپورته کیږي. سږکال، د LTOI ماډلیټرونو په اړه ډیری لوړې کچې کارونه خپاره شوي، د لوړ کیفیت LTOI ویفرونو سره چې د شانګهای انز څخه د پروفیسور ژین اوو لخوا چمتو شوي ...نور ولولئ -
د ویفر تولید کې د SPC سیسټم ژوره پوهه
SPC (د احصایې پروسې کنټرول) د ویفر تولید پروسې کې یوه مهمه وسیله ده چې په تولید کې د مختلف مرحلو ثبات نظارت ، کنټرول او ښه کولو لپاره کارول کیږي. 1. د SPC سیسټم عمومي کتنه SPC یو میتود دی چې سټا ...نور ولولئ -
epitaxy ولې په ویفر سبسټریټ کې ترسره کیږي؟
د سیلیکون ویفر سبسټریټ کې د سیلیکون اتومونو اضافي پرت وده کول ډیری ګټې لري: د CMOS سیلیکون پروسو کې ، په ویفر سبسټریټ کې د اپیټیکسیل وده (EPI) د پروسې یو مهم ګام دی. 1، د کرسټال کیفیت ښه کول ...نور ولولئ -
د ویفر پاکولو لپاره اصول، پروسې، میتودونه او وسایل
لوند پاکول د سیمی کنډکټر تولید پروسو کې یو له مهم ګامونو څخه دی چې هدف یې د ویفر له سطحې څخه د مختلف ککړتیاو لرې کول دي ترڅو ډاډ ترلاسه شي چې د پروسې راتلونکي مرحلې په پاکه سطحه ترسره کیدی شي. ...نور ولولئ -
د کرسټال الوتکو او کرسټال سمت ترمنځ اړیکه.
کرسټال الوتکې او کرسټال اورینټیشن په کریسټالګرافي کې دوه اصلي مفکورې دي، چې د سیلیکون پر بنسټ مدغم شوي سرکټ ټیکنالوژۍ کې د کرسټال جوړښت سره نږدې تړاو لري. 1. د کریسټال اورینټیشن تعریف او ځانګړتیاوې کرسټال اورینټیشن د یو ځانګړي لارښود استازیتوب کوي ...نور ولولئ -
د شیشې له لارې (TGV) او د سیلیکون ویا له لارې ، TSV (TSV) پروسې په TGV کې ګټې څه دي؟
د TGV په پرتله د شیشې ویا (TGV) او د سیلیکون ویا (TSV) پروسې له لارې ګټې په عمده ډول دي: (1) عالي لوړ فریکونسۍ بریښنایی ځانګړتیاوې. د شیشې مواد یو انسولیټر مواد دی، ډایالیکټریک ثابت د سیلیکون موادو څخه یوازې 1/3 دی، او د ضایع عامل 2-...نور ولولئ -
کنډکټیو او نیمه موصل سیلیکون کاربایډ سبسټریټ غوښتنلیکونه
د سیلیکون کاربایډ سبسټریټ په نیمه انسولیټ ډول او کنډکټیک ډول ویشل شوی. په اوس وخت کې، د نیمه موصل سیلیکون کاربایډ سبسټریټ محصولاتو اصلي جریان مشخصات 4 انچه دي. په چلونکي سیلیکون کاربایډ کې ما ...نور ولولئ -
ایا د مختلف کرسټال سمتونو سره د نیلم ویفرونو غوښتنلیک کې هم توپیر شتون لري؟
نیلم د الومینا یو واحد کرسټال دی، د درې اړخیز کرسټال سیسټم پورې اړه لري، هیکساگونال جوړښت، د دې کرسټال جوړښت د درې اکسیجن اتومونو او دوه المونیم اتومونو څخه د covalent بانډ ډول کې جوړ شوی، د قوي اړیکو سلسلې او جال انرژي سره، په داسې حال کې چې دا کرسټال انټ...نور ولولئ -
د SiC conductive substrate او نیم موصل شوي سبسټریټ ترمنځ څه توپیر دی؟
د SiC سیلیکون کاربایډ وسیله د خامو موادو په توګه د سیلیکون کاربایډ څخه جوړ شوي وسیله ته اشاره کوي. د مختلف مقاومت ملکیتونو له مخې ، دا د سیلیکون کاربایډ بریښنایی وسیلو او نیمه موصل سیلیکون کاربایډ RF وسیلو ویشل شوی. د اصلي وسیلو فورمې او ...نور ولولئ -
یوه مقاله تاسو ته د TGV ماسټر رهبري کوي
TGV څه شی دی؟ TGV، (د شیشې له لارې)، د شیشې په سبسټریټ کې د سوري له لارې د جوړولو ټیکنالوژي، په ساده اصطلاحاتو کې، TGV یو لوړ پوړ ودانۍ ده چې په شیشې کې د مدغم سرکټونو د جوړولو لپاره شیشې ته ټک ورکوي، ډکوي او پورته او ښکته نښلوي. fl...نور ولولئ