د 4 انچه نیمه سپکاوی کوونکی SiC ویفرونه HPSI SiC سبسټریټ د لومړي تولید درجه

لنډ معلومات:

د 4 انچه لوړ پاکوالي نیمه موصل شوي سیلیکون کاربایډ دوه اړخیزه پالش کولو پلیټ په عمده توګه د 5G مخابراتو او نورو برخو کې کارول کیږي، د راډیو فریکونسۍ رینج ښه کولو، د الټرا اوږد واټن پیژندنې، د مداخلې ضد، لوړ سرعت، لوی ظرفیت معلوماتو لیږد او نورو غوښتنلیکونو ګټې لري، او د مایکروویو بریښنا وسیلو جوړولو لپاره د مثالي سبسټریټ په توګه ګڼل کیږي.

موږ ته بریښنالیک واستوئ

د محصول تفصیل

د محصول ټګونه

د محصول مشخصات

سیلیکون کاربایډ (SiC) یو مرکب سیمیکمډکټر مواد دی چې د کاربن او سیلیکون عناصرو څخه جوړ شوی دی، او د لوړ تودوخې، لوړ فریکونسۍ، لوړ بریښنا او لوړ ولټاژ وسیلو جوړولو لپاره یو له مثالي موادو څخه دی. د دودیز سیلیکون موادو (Si) په پرتله، د سیلیکون کاربایډ منع شوي بانډ پلنوالی د سیلیکون په پرتله درې ځله دی؛ د تودوخې چالکتیا د سیلیکون په پرتله 4-5 ځله ده؛ د ماتیدو ولټاژ د سیلیکون په پرتله 8-10 ځله دی؛ او د الکترون سنتریت ډریفټ کچه د سیلیکون په پرتله 2-3 ځله ده، کوم چې د لوړ بریښنا، لوړ ولټاژ، او لوړ فریکونسۍ لپاره د عصري صنعت اړتیاوې پوره کوي، او دا په عمده توګه د لوړ سرعت، لوړ فریکونسۍ، لوړ بریښنا او رڼا خپریدونکي بریښنایی اجزاو جوړولو لپاره کارول کیږي، او د هغې د ښکته جریان غوښتنلیک ساحې سمارټ گرډ، نوي انرژي وسایط، فوتوولټیک باد بریښنا، 5G مخابرات، او نور شامل دي. د بریښنا وسیلو په برخه کې، سیلیکون کاربایډ ډایډونه او MOSFETs په سوداګریزه توګه پلي کیدل پیل شوي.

د SiC ویفرونو/SiC سبسټریټ ګټې

د لوړې تودوخې مقاومت. د سیلیکون کاربایډ منع شوی بینډ پلنوالی د سیلیکون په پرتله 2-3 ځله دی، نو الکترونونه په لوړه تودوخه کې د ټوپ کولو احتمال لږ دی او کولی شي د لوړې عملیاتي تودوخې سره مقاومت وکړي، او د سیلیکون کاربایډ حرارتي چالکتیا د سیلیکون په پرتله 4-5 ځله ده، چې د وسیلې څخه د تودوخې تحلیل اسانه کوي او د لوړ محدود عملیاتي تودوخې لپاره اجازه ورکوي. د لوړ تودوخې ځانګړتیاوې کولی شي د بریښنا کثافت د پام وړ زیات کړي، پداسې حال کې چې د تودوخې د ضایع کیدو سیسټم اړتیاوې کموي، ټرمینل ډیر سپک او کوچنی کوي.

د لوړ ولتاژ مقاومت. د سیلیکون کاربایډ د ماتیدو ساحې ځواک د سیلیکون په پرتله 10 ځله دی، چې دا د لوړ ولتاژ سره مقاومت کولو توان ورکوي، چې دا د لوړ ولتاژ وسیلو لپاره ډیر مناسب کوي.

د لوړې فریکونسۍ مقاومت. سیلیکون کاربایډ د سیلیکون د سنتریت الکترون ډریفت کچه دوه چنده لري، چې په پایله کې یې وسایل د بندولو په پروسه کې د اوسني ډریګ پدیده کې شتون نلري، کولی شي په مؤثره توګه د وسیلې د سویچ کولو فریکونسۍ ښه کړي، ترڅو د وسیلې کوچنی کول ترلاسه کړي.

د انرژۍ کم ضایع. د سیلیکون کاربایډ د سیلیکون موادو په پرتله خورا ټیټ مقاومت لري، د لیږد کم ضایع؛ په ورته وخت کې، د سیلیکون کاربایډ لوړ بینډ ویت د لیک جریان، د بریښنا ضایع کول د پام وړ کموي؛ سربیره پردې، د بندولو پروسې کې د سیلیکون کاربایډ وسایل د اوسني ډریګ پدیده کې شتون نلري، د سویچ کولو ټیټ زیان.