4 انچ نیمه سپکاوی SiC ویفرونه HPSI SiC سبسټریټ پریم تولید درجه
د محصول مشخصات
سیلیکون کاربایډ (SiC) یو مرکب سیمیکمډکټر مادی دی چې د عناصرو کاربن او سیلیکون څخه جوړ شوی ، او د لوړ تودوخې ، لوړې فریکونسۍ ، لوړ بریښنا او لوړ ولټاژ وسیلو جوړولو لپاره یو له مثالي موادو څخه دی. د دودیز سیلیکون موادو (Si) سره پرتله کول، د سیلیکون کاربایډ منع شوي بینډ پلنوالی د سیلیکون په پرتله درې چنده دی؛ حرارتي چالکتیا د سیلیکون په پرتله 4-5 ځله ده؛ د ماتولو ولتاژ د سیلیکون په پرتله 8-10 ځله دی؛ او د الکترون سنتریشن ډریفټ نرخ د سیلیکون په پرتله 2-3 ځله دی، کوم چې د لوړ بریښنا، لوړ ولتاژ، او لوړ فریکونسۍ لپاره د عصري صنعت اړتیاوې پوره کوي، او دا په عمده توګه د لوړ سرعت، لوړ کیفیت جوړولو لپاره کارول کیږي. فریکونسي، د لوړ بریښنا او د رڼا خپریدو بریښنایی اجزاو، او د هغې د ښکته جریان غوښتنلیک ساحو کې شامل دي سمارټ گرډ، د نوي انرژی وسایط، د فوټوولټیک باد بریښنا، 5G مخابراتو، او نور. د بریښنا د وسایلو په ساحه کې، سیلیکون کاربایډ ډایډونه او MOSFETs په سوداګریزه توګه کارول پیل شوي.
د SiC wafers/SiC سبسټریټ ګټې
د لوړ حرارت مقاومت. د سیلیکون کاربایډ منع شوي بند پلنوالی د سیلیکون په پرتله 2-3 ځله دی، نو ځکه چې الکترون لږ احتمال لري چې په لوړه تودوخه کې ټوپ وکړي او کولی شي د لوړې عملیاتي تودوخې سره مقاومت وکړي، او د سیلیکون کاربایډ حرارتي چالکتیا د سیلیکون په پرتله 4-5 ځله ده. دا د آلې څخه د تودوخې ضایع کول اسانه دي او د لوړې محدودې عملیاتي تودوخې لپاره اجازه ورکوي. د لوړې تودوخې ځانګړتیاوې کولی شي د پام وړ د بریښنا کثافت زیات کړي، پداسې حال کې چې د تودوخې د ضایع کولو سیسټم اړتیاوې کموي، ترمینل ډیر سپک او کوچنی کوي.
د لوړ ولتاژ مقاومت. د سیلیکون کاربایډ د ماتولو ساحې ځواک د سیلیکون په پرتله 10 چنده دی، دا توان ورکوي چې د لوړ ولتاژ سره مقاومت وکړي، دا د لوړ ولتاژ وسیلو لپاره ډیر مناسب کوي.
د لوړ فریکونسۍ مقاومت. سیلیکون کاربایډ د سیلیکون د سنتریت الکترون ډرایف نرخ دوه چنده لري ، په پایله کې د دې وسیلې د بندولو پروسې کې په اوسني ډریګ پدیده کې شتون نلري ، کولی شي په مؤثره توګه د وسیلې بدلولو فریکونسۍ ته وده ورکړي ، ترڅو د وسیلې کوچني کولو ترلاسه کولو لپاره.
د کم انرژي ضایع کول. سیلیکون کاربایډ د سیلیکون موادو په پرتله خورا ټیټ مقاومت لري ، د ټیټ لیږد زیان؛ په ورته وخت کې ، د سیلیکون کاربایډ لوړ بینډ ویت د پام وړ د لیک جریان کموي ، د بریښنا ضایع کول؛ سربیره پردې ، د بندولو پروسې کې د سیلیکون کاربایډ وسیلې په اوسني ډریګ پدیده کې شتون نلري ، د ټیټ سویچ کولو زیان.
تفصيلي ډياګرام
