50.8mm/100mm AlN کېنډۍ په NPSS/FSS AlN کېنډۍ په نیلم کې
AlN-on-Sapphire
AlN-on-Sapphire د مختلف فوتو الیکټریک وسایلو جوړولو لپاره کارول کیدی شي، لکه:
1. LED چپس: د LED چپس معمولا د المونیم نایټرایډ فلمونو او نورو موادو څخه جوړ شوي.د LEDs موثریت او ثبات د LED چپس سبسټریټ په توګه د AlN-on-Sapphire wafers په کارولو سره ښه کیدی شي.
2. لیزرونه: AlN-on-Sapphire wafers د لیزرونو لپاره د سبسټریټ په توګه هم کارول کیدی شي، کوم چې معمولا په طبي، مخابراتو، او موادو پروسس کې کارول کیږي.
3. د سولر حجرې: د سولر حجرو جوړول د موادو لکه المونیم نایټرایډ کارولو ته اړتیا لري.AlN-on-Sapphire د سبسټریټ په توګه کولی شي د لمریز حجرو موثریت او ژوند ته وده ورکړي.
4. نور optoelectronic وسیلې: AlN-on-Sapphire wafers د فوتوډیټیکټرونو، optoelectronic وسیلو او نورو optoelectronic وسایطو په جوړولو کې هم کارول کیدی شي.
په پایله کې، د AlN-on-Sapphire wafers په پراخه کچه د اپټو برقی ساحه کې د دوی د لوړ حرارتي چالکتیا، لوړ کیمیاوي ثبات، ټیټ ضایع او غوره نظری ملکیتونو له امله کارول کیږي.
په NPSS/FSS کې 50.8mm/100mm AlN کينډۍ
| توکي | څرګندونې | |||
| تفصیل | AlN-on-NPSS ټیمپلیټ | AlN-on-FSS ټیمپلیټ | ||
| د ویفر قطر | 50.8mm، 100mm | |||
| سبسټریټ | c-plan NPSS | د سی-پلین پلانر سیفایر (FSS) | ||
| د فرعي ضخامت | 50.8mm، 100mmc-plane Planar Sapphire (FSS) 100mm : 650 um | |||
| د AIN epi-layer ضخامت | 3~4 um (هدف: 3.3um) | |||
| چال چلن | موصلیت | |||
| سطحه | لکه څنګه چې لوی شوی | |||
| RMS<1nm | RMS<2nm | |||
| شاته | پیسه شوې | |||
| FWHM(002)XRC | < 150 آرکسیک | < 150 آرکسیک | ||
| FWHM(102)XRC | < 300 آرکسیک | < 300 آرکسیک | ||
| د څنډې جلا کول | < 2mm | <3mm | ||
| لومړني فلیټ لوري | یوه الوتکه + 0.1° | |||
| لومړني فلیټ اوږدوالی | 50.8mm: 16+/-1 mm 100mm: 30+/-1 mm | |||
| بسته | د بار وړلو بکس یا واحد ویفر کانټینر کې بسته شوي | |||
تفصيلي ډياګرام
