د MOS یا SBD لپاره 4 انچ SiC Epi ویفر
Epitaxy د سیلیکون کاربایډ سبسټریټ په سطحه د لوړ کیفیت واحد کرسټال موادو د پرت ودې ته اشاره کوي.د دوی په منځ کې، د سیلیکون کاربایډ په نیمه انسولیټ کې د ګیلیم نایټریډ اپیټیکسیل پرت وده د هیټروجینس ایپیټیکسي په نوم یادیږي.د سیلیکون کاربایډ epitaxial پرت وده د کنډکټیو سیلیکون کاربایډ سبسټریټ په سطحه د همجنس ایپیټیکسي په نوم یادیږي.
Epitaxial د اصلي فعال پرت د ودې د وسیلې ډیزاین اړتیاو سره سم دی، په لویه کچه د چپ او وسیله فعالیت ټاکي، د 23٪ لګښت.په دې مرحله کې د SiC پتلي فلم اپیټیکسي اصلي میتودونه عبارت دي له: د کیمیاوي بخار جمع کول (CVD)، مالیکولر بیم ایپیټاکسي (MBE)، د مایع پړاو ایپیټاکسي (LPE)، او د نبض لیزر ډیپوزیشن او سبلیمیشن (PLD).
Epitaxy په ټول صنعت کې خورا مهم لینک دی.د سیلیکون کاربایډ په نیمه موصلیت کې د GaN epitaxial پرتونو په وده کولو سره، د سیلیکون کاربایډ پر بنسټ د GaN epitaxial wafers تولیدیږي، کوم چې نور د GaN RF وسایلو لکه د لوړ الکترون حرکت ټرانزیسټرونو (HEMTs) کې جوړ کیدی شي؛
د سیلیکون کاربایډ اپیټاکسیل پرت په کنډکټیو سبسټریټ کې وده کولو سره د سیلیکون کاربایډ ایپیټاکسیل ویفر ترلاسه کول ، او د سکاټکي ډایډونو په جوړولو کې په ایپیټیکسیل پرت کې د سرو زرو - اکسیجن نیمه ساحې اغیزې ټرانزیسټرونه ، د انسول شوي دروازې بایپولر ټرانزیسټرونو او نورو بریښنا وسیلو ، نو د کیفیت کیفیت. د وسیلې په فعالیت کې epitaxial خورا لوی اغیزه لري د صنعت په پرمختګ کې هم خورا مهم رول لوبوي.
تفصيلي ډياګرام
![asd (1)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-110.jpg)
![asd (2)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-25.png)