د می په 26 ، د پاور کیوب سیمی د سویلي کوریا د لومړي 2300V SiC (سیلیکون کاربایډ) MOSFET سیمیکمډکټر بریالۍ پراختیا اعلان کړه.
د موجوده Si (سیلیکون) میشته سیمیک کنډکټرونو په پرتله ، SiC (سیلیکون کاربایډ) کولی شي د لوړ ولتاژ سره مقاومت وکړي ، له همدې امله د راتلونکي نسل وسیله په توګه پیژندل کیږي چې د بریښنا سیمیک کنډکټرونو راتلونکي رهبري کوي.دا د عصري ټیکنالوژیو معرفي کولو لپاره د یوې مهمې برخې په توګه کار کوي، لکه د بریښنایی وسایطو پراختیا او د مصنوعي استخباراتو لخوا پرمخ وړل شوي ډیټا مرکزونو پراخول.
پاور کیوب سیمی یو بې ساري شرکت دی چې په دریو اصلي کټګوریو کې د بریښنا سیمیکمډکټر وسیلې رامینځته کوي: SiC (سیلیکون کاربایډ) ، Si (سیلیکون) ، او Ga2O3 (ګیلیم آکسایډ).په دې وروستیو کې، شرکت په چین کې د بریښنایی موټرو نړیوال شرکت ته د لوړ ظرفیت Schottky Barrier Diodes (SBDs) پلي او پلورلي، د خپل سیمیکمډکټر ډیزاین او ټیکنالوژۍ لپاره پیژندل شوی.
د 2300V SiC MOSFET خوشې کول په سویلي کوریا کې د ورته پرمختیا لومړۍ قضیې په توګه د پام وړ دي.Infineon، په آلمان کې میشته د نړیوال بریښنا سیمیکمډکټر شرکت هم د مارچ په میاشت کې د خپل 2000V محصول پیل کولو اعلان وکړ، مګر د 2300V محصول لاین اپ پرته.
د Infineon's 2000V CoolSiC MOSFET، د TO-247PLUS-4-HCC کڅوړې په کارولو سره، د ډیزاینرانو ترمنځ د بریښنا د کثافت زیاتوالي غوښتنه پوره کوي، حتی د سخت لوړ ولتاژ او د فریکونسۍ بدلولو شرایطو کې د سیسټم اعتبار ډاډمن کوي.
CoolSiC MOSFET د لوړ مستقیم اوسني لینک ولټاژ وړاندیز کوي، پرته له دې چې د اوسني زیاتوالي څخه د بریښنا زیاتوالی فعال کړي.دا په بازار کې د 2000V د بریک ډاون ولټاژ سره لومړی جلا سیلیکون کاربایډ وسیله ده ، د TO-247PLUS-4-HCC کڅوړه د 14mm کریپج فاصله او د 5.4mm پاکولو سره کاروي.دا وسیلې د ټیټ سویچ کولو زیانونه لري او د غوښتنلیکونو لپاره مناسب دي لکه د سولر سټینګ انورټرونه ، د انرژي ذخیره کولو سیسټمونه ، او د بریښنایی موټرو چارج کول.
د CoolSiC MOSFET 2000V محصول لړۍ تر 1500V DC پورې د لوړ ولټاژ DC بس سیسټمونو لپاره مناسبه ده.د 1700V SiC MOSFET په پرتله، دا وسیله د 1500V DC سیسټمونو لپاره کافي اوورولټاج مارجن چمتو کوي.CoolSiC MOSFET د 4.5V حد ولټاژ وړاندیز کوي او د سخت بدلون لپاره د قوي باډي ډیایډونو سره مجهز راځي.د .XT اتصال ټیکنالوژۍ سره، دا اجزا غوره حرارتي فعالیت او قوي رطوبت مقاومت وړاندې کوي.
د 2000V CoolSiC MOSFET سربیره، Infineon به ډیر ژر د TO-247PLUS 4-pin او TO-247-2 کڅوړو کې په ترتیب سره د 2024 په دریمه ربع او د 2024 وروستۍ ربع کې بشپړونکي CoolSiC ډایډونه پیل کړي.دا ډایډونه په ځانګړي ډول د سولر غوښتنلیکونو لپاره مناسب دي.د دروازې ډرایور د محصول ترکیبونه هم شتون لري.
د CoolSiC MOSFET 2000V محصول لړۍ اوس په بازار کې شتون لري.سربیره پردې، انفینون مناسب ارزونې بورډونه وړاندې کوي: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.پراختیا کونکي کولی شي دا بورډ د دقیق عمومي ازموینې پلیټ فارم په توګه وکاروي ترڅو ټول CoolSiC MOSFETs او ډایډونه ارزونه وکړي چې په 2000V کې ارزول شوي ، په بیله بیا د EiceDRIVER کمپیکٹ واحد چینل جلا کولو دروازې ډرایور 1ED31xx محصول لړۍ د ډبل پلس یا دوامداره PWM عملیاتو له لارې.
ګونګ شن سو، د پاور کیوب سیمی د ټکنالوجۍ لوی رییس وویل، "موږ وکولی شو د 1700V SiC MOSFETs پراختیا او ډله ایز تولید کې 2300V ته زموږ موجوده تجربه پراخه کړو.
د پوسټ وخت: اپریل-08-2024