محصولات
-
Dia50.8×0.1/0.17/0.2/0.25/0.3mmt Sapphire Wafer substrate Epi-ready DSP SSP
-
د ټایټانیوم-ډوپډ نیلم کرسټال لیزر راډونو د سطحې پروسس کولو میتود
-
مربع Ti: د نیلم وینډوز ابعاد 106×5.0mmt Doped Ti3+ یا Cr3+ روبي مواد
-
په لابراتوار کې جوړ شوي یاقوت / یاقوت د پلور لپاره روبی # 5 Al2O3
-
روبي مواد مصنوعي کورنډم د جواهر اصلي موادو لپاره ګلابي سور
-
د کبوتر وینې روبي مواد د جواهر واچ شیشې لپاره Ti3+ Cr3+ ډوپ شوی
-
کیسټ 12 انچ سیلیکون ویفر کیریر بکس سیلیکون ویفر کانټینر IC ویفر بکس شیډینګ
-
د PC او PP 12 انچ 300mm واحد ویفر سبسټریټ کیریر بکس
-
4H-N 8 انچه SiC سبسټریټ ویفر سیلیکون کاربایډ ډمي د څیړنې درجې 500um ضخامت
-
8 انچ 200mm سیلیکون کاربایډ SiC Wafers 4H-N ډول د تولید درجې 500um ضخامت
-
8 انچه 200mm سیفایر ویفر کیریر سبسټریټ 1SP 2SP 0.5mm 0.75mm
-
4 انچه لوړ پاکوالی Al2O3 99.999% سیفایر سبسټریټ ویفر Dia101.6×0.65mmt د لومړني فلیټ اوږدوالی سره