سبسټریټ
-
8 انچ 200mm سیلیکون کاربایډ SiC Wafers 4H-N ډول د تولید درجې 500um ضخامت
-
8 انچه 200mm سیفایر ویفر کیریر سبسټریټ 1SP 2SP 0.5mm 0.75mm
-
4 انچه لوړ پاکوالی Al2O3 99.999% سیفایر سبسټریټ ویفر Dia101.6×0.65mmt د لومړني فلیټ اوږدوالی سره
-
3 انچ 76.2mm 4H-سیمي SiC سبسټریټ ویفر سیلیکون کاربایډ نیمه سپکاوی SiC ویفر
-
2 انچ 50.8mm سیلیکون کاربایډ SiC Wafers Doped Si N-ډول تولید څیړنه او ډمي درجه
-
2 انچه 50.8mm سیفایر ویفر C-Plane M-plane R-plan A-plane
-
2 انچ 50.8 ملي میتر جرمنییم ویفر سبسټریټ واحد کرسټال 1SP 2SP
-
3 انچ 4 انچ 6 انچ LiNbO3 ویفر سبسټریټ واحد کرسټال مواد
-
د 8 انچ لیتیم نیوبیټ ویفر LiNbO3 LN ویفر
-
2 انچه 50.8mm سیفایر ویفر C-Plane M-plane R-plane A-Plane ضخامت 350um 430um 500um
-
2 انچه 50.8mm ضخامت 0.1mm 0.2mm 0.43mm Sapphire Wafer C-Plane M-plane R-plane A- الوتکه
-
8 انچه 200mm سیفایر ویفر کیریر سبسټریټ SSP DSP ضخامت 0.5mm 0.75mm