156mm 159mm 6 انچ سیفایر ویفر د کیریر C-Plane DSP TTV لپاره

156mm 159mm 6 انچ سیفایر ویفر د کیریر لپاره C-Plane DSP TTV ځانګړی انځور

لنډ معلومات:

156mm/159mm قطر، 6″ Al2O3 دوه اړخیزه پالش شوي (DSP) نیلم ویفرونه د کیریر بورډونو لپاره له 3 مایکرون څخه کم TTV سره.اضافي 8″ / 6″ / 5″ / 2″ / 3″ / 4″ / 5″ C-axis، A-axis، R-axis، M-axis wafers.د C-plan sapphire wafers تر 6 انچو پورې (6″/6inch) قطر لري، د یو اړخیز پالش (SSP) یا دوه اړخیز پالش (DSP) سطحونو سره، او د 650 مایکرون یا 1000 مایکرون ضخامت سره.

موږ ته بریښنالیک واستوئ

د محصول تفصیل

د محصول ټګ

مشخصات

توکي	6-انچ سي-پلان (0001) نیلم وافر
کرسټال مواد	99,999٪، لوړ پاکوالی، Monocrystalline Al2O3
درجه	لومړی، ایپي چمتو دی
د سطحې اورینشن	سي الوتکه (0001)
	د C-الوتکي بند زاویه د M-axis 0.2 +/- 0.1° په لور
قطر	100.0 mm +/- 0.1 mm
موټی	650 μm +/- 25 μm
لومړني فلیټ اورینټیشن	C- الوتکه(00-01) +/- 0.2°
واحد اړخ پالش شوی	مخکینۍ سطحه	Epi-پالش، Ra <0.2 nm (د AFM لخوا)
(SSP)	شاته سطحه	ښه ځمکه، Ra = 0.8 μm څخه تر 1.2 μm پورې
دوه اړخیزه پالش شوی	مخکینۍ سطحه	Epi-پالش، Ra <0.2 nm (د AFM لخوا)
(DSP)	شاته سطحه	Epi-پالش، Ra <0.2 nm (د AFM لخوا)
TTV	< 20 μm
BOW	< 20 μm
WARP	< 20 μm
پاکول / بسته بندي	د 100 ټولګي د پاکولو خونې پاکول او د خلا بسته کول،
	25 ټوټې په یوه کیسټ بسته بندۍ یا د واحد ټوټه بسته بندۍ کې.

د Kylopoulos میتود (KY میتود) اوس مهال په چین کې د ډیری شرکتونو لخوا کارول کیږي ترڅو د بریښنایی او نظری صنعتونو کې د کارولو لپاره د نیلم کرسټال تولید کړي.

په دې پروسه کې، د لوړ پاکوالي المونیم اکسایډ په کریبل کې د 2100 درجو سانتي ګراد څخه پورته تودوخې کې مینځل کیږي.معمولا صلیب د ټنګسټن یا مولیبډینم څخه جوړ شوی دی.دقیقا متمرکز تخم کرسټال په الومینا کې ډوب شوی.د تخم کرسټال په ورو ورو پورته پورته کیږي او کیدای شي په ورته وخت کې وګرځول شي.د تودوخې درجه په دقیق ډول کنټرولولو سره، د راښکته کولو کچه او د یخولو کچه، یو لوی، واحد کرسټال، نږدې سلنډر انګوټ د خټکي څخه تولید کیدی شي.

وروسته له دې چې د واحد کرسټال نیلم انګوټونه وده وکړي، دوی په سلنډر راډونو کې ډرل کیږي، چې بیا د مطلوب کړکۍ ضخامت ته پرې کیږي او په پای کې د مطلوب سطح پای ته پالش کیږي.