2 انچه 50.8mm سیفایر ویفر C-Plane M-plane R-plane A-Plane ضخامت 350um 430um 500um
د مختلفو لورو مشخصات
| اوریدنه | C(0001)-محور | R(1-102)-محور | M(10-10)- محور | A(11-20)-محور | ||
| فزیکي ملکیت | د C محور کرسټال رڼا لري، او نور محورونه منفي رڼا لري.طیاره C فلیټ دی، په غوره توګه پرې شوی. | R- الوتکه د A په پرتله لږ سخته ده. | M الوتکه په پښو سیریټ شوې، د پرې کولو لپاره اسانه نه ده، پرې کول اسانه دي. | د A- الوتکې سختی د C- الوتکې په پرتله د پام وړ لوړ دی، کوم چې د لباس مقاومت، د سکریچ مقاومت او لوړ سختۍ کې څرګندیږي؛اړخ A- الوتکه یو زیګزګ الوتکه ده، چې پرې کول اسانه دي؛ | ||
| غوښتنلیکونه | د C-oriented sapphire substrates د III-V او II-VI زیرمه شوي فلمونو وده کولو لپاره کارول کیږي، لکه ګیلیم نایټریډ، کوم چې کولی شي نیلي LED محصولات، لیزر ډایډونه، او د انفراریډ کشف کونکي غوښتنلیکونه تولید کړي. | د مختلف زیرمو سیلیکون ایکسټریسټالونو R-oriented substrate وده چې په مایکرو الیکترونیک مدغم سرکیټونو کې کارول کیږي. | دا په عمده توګه د غیر قطبي / نیم قطبي GaN epitaxial فلمونو وده لپاره کارول کیږي ترڅو د روښانه موثریت ښه کړي. | A-oriented substrate ته یونیفورم اجازه/میډیم تولیدوي، او په هایبرډ مایکرو الیکترونیکي ټیکنالوژۍ کې د لوړې کچې موصلیت کارول کیږي.د لوړ حرارت سوپر کنډکټرونه د A-base اوږد شوي کرسټال څخه تولید کیدی شي. | ||
| د پروسس ظرفیت | Pattern Sapphire Substrate (PSS): د نمو یا ایچنګ په شکل کې، د نانوسکل ځانګړي منظم مایکرو جوړښت نمونې د نیلم سبسټریټ باندې ډیزاین شوي او جوړ شوي ترڅو د LED رڼا محصول کنټرول کړي، او د نیلم سبسټریټ کې وده کونکي GaN ترمنځ توپیر نیمګړتیاوې کمې کړي. د epitaxy کیفیت ښه کړي، او د LED داخلي کوانټم موثریت ته وده ورکړي او د رڼا استخراج موثریت زیات کړي. برسېره پردې، د نیلم پریزم، عکس، لینز، سوري، مخروط او نور ساختماني برخې د پیرودونکو اړتیاو سره سم تنظیم کیدی شي. | |||||
| د ملکیت اعلامیه | کثافت | سختۍ | د خړوبولو نقطه | انعکاس شاخص (د لیدلو وړ او انفراریډ) | لیږد (DSP) | ډایالیکټریک ثابت |
| 3.98g/cm3 | ۹(محس) | 2053℃ | 1.762~1.770 | ≥85% | 11.58@300K په C محور (9.4 په A محور) | |
تفصيلي ډياګرام
