2 انچ SiC Wafers 6H یا 4H نیمه انسولیټینګ SiC سبسټریټ Dia50.8mm

2 انچه SiC Wafers 6H یا 4H نیمه انسولیټینګ SiC سبسټریټ Dia50.8mm ځانګړی انځور

لنډ معلومات:

سیلیکون کاربایډ (SiC) د ګروپ IV-IV بائنری مرکب دی، دا د عناصرو د دوراني جدول په ګروپ IV کې یوازینی باثباته جامد مرکب دی، دا یو مهم سیمیکمډکټر دی.SiC غوره حرارتي، میخانیکي، کیمیاوي او بریښنایی ملکیتونه لري، کوم چې دا د لوړ حرارت، لوړ فریکونسۍ، او لوړ بریښنا بریښنایی وسایلو جوړولو لپاره یو له غوره موادو څخه جوړوي.

موږ ته بریښنالیک واستوئ

د محصول تفصیل

د محصول ټګ

د سیلیکون کاربایډ سبسټریټ پلي کول

د سیلیکون کاربایډ سبسټریټ د مقاومت له مخې د conductive ډول او نیمه انسلیټینګ ډول ویشل کیدی شي.کنډکټیک سیلیکون کاربایډ وسیلې په عمده ډول په بریښنایی موټرو ، فوتوولټیک بریښنا تولید ، د ریل ټرانزیټ ، ډیټا مرکزونو ، چارج کولو او نورو زیربناوو کې کارول کیږي.د بریښنایی وسایطو صنعت د سیلیکون کاربایډ سبسټریټونو لپاره خورا پراخه غوښتنه لري ، او دا مهال Tesla ، BYD ، NIO ، Xiaopeng او د انرژي نوي موټرو شرکتونو پلان لري چې د سیلیکون کاربایډ جلا وسیلې یا ماډلونه وکاروي.

نیمه موصل سیلیکون کاربایډ وسایل په عمده توګه د 5G مخابراتو، د وسایطو مخابراتو، د ملي دفاع غوښتنلیکونو، د معلوماتو لیږد، فضا او نورو برخو کې کارول کیږي.په نیمه موصل شوي سیلیکون کاربایډ سبسټریټ کې د ګیلیم نایټریډ اپیټیکسیل پرت په وده کولو سره ، د سیلیکون میشته ګالیم نایټریډ ایپیټیکسیل ویفر نور د مایکروویو RF وسیلو کې رامینځته کیدی شي ، کوم چې په عمده ډول د RF په ساحه کې کارول کیږي ، لکه د 5G مخابراتو کې د بریښنا امپلیفیرونه او په ملي دفاع کې د راډیو کشف کونکي.

د سیلیکون کاربایډ سبسټریټ محصولاتو تولید کې د تجهیزاتو پراختیا ، د خامو موادو ترکیب ، د کرسټال وده ، د کرسټال قطع کول ، د ویفر پروسس کول ، پاکول او ازموینې او ډیری نورې اړیکې شاملې دي.د خامو موادو په شرایطو کې، د سندرغان بورون صنعت د بازار لپاره سیلیکون کاربایډ خام مواد چمتو کوي، او د کوچنیو بستو پلور یې ترلاسه کړی.د دریم نسل سیمیکمډکټر توکي چې د سیلیکون کاربایډ لخوا نمایندګي کوي په عصري صنعت کې کلیدي رول لوبوي ، د نوي انرژي وسایطو او فوټوولټیک غوښتنلیکونو د ننوتلو ګړندي کولو سره ، د سیلیکون کاربایډ سبسټریټ غوښتنه د انفلیکشن نقطې پیل کولو په اړه ده.