سي سي
-
۲ انچه سیلیکون کاربایډ سبسټریټ ۶H-N ډول ۰.۳۳ ملي متره ۰.۴۳ ملي متره دوه اړخیزه پالش کول لوړ حرارتي چالکتیا ټیټ بریښنا مصرف
-
د SiC سبسټریټ 3 انچه 350um ضخامت HPSI ډول پرائم ګریډ ډمي ګریډ
-
د سیلیکون کاربایډ SiC انګوټ 6 انچه N ډوله ډمي/پرائم ګریډ ضخامت دودیز کیدی شي
-
۶ په سیلیکون کاربایډ ۴H-SiC نیمه انسولیټینګ انګټ، ډمي درجه
-
د SiC انګوټ 4H ډول قطر 4 انچه 6 انچه ضخامت 5-10 ملي میتر څیړنه / ډمي درجه
-
د سیک سبسټریټ سیلیکون کاربایډ ویفر 4H-N ډول لوړ سختۍ د زنګ مقاومت پرائم ګریډ پالش کول
-
۲ انچه سیلیکون کاربایډ ویفر ۶H-N ډوله پرائم ګریډ ریسرچ ګریډ ډمي ګریډ ۳۳۰μm ۴۳۰μm ضخامت
-
۲ انچه سیلیکون کاربایډ سبسټریټ ۶H-N دوه اړخیزه پالش شوی قطر ۵۰.۸ ملي متره د تولید درجه د څیړنې درجه
-
د N-ډول SiC مرکب سبسټریټ Dia6inch لوړ کیفیت مونوکریستالین او ټیټ کیفیت سبسټریټ
-
نیمه انسولیټینګ SiC مرکب سبسټریټس Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
-
د Si مرکب سبسټریټس کې د N-ډول SiC قطر 6 انچه
-
د SiC سبسټریټ Dia200mm 4H-N او HPSI سیلیکون کاربایډ