سي سي
-
۲ انچه سیلیکون کاربایډ ویفرونه ۶H یا ۴H N ډوله یا نیمه انسولیټینګ SiC سبسټریټونه
-
د 4H-N 4 انچه SiC سبسټریټ ویفر سیلیکون کاربایډ تولید ډمي څیړنیز درجه
-
د MOS یا SBD تولید څیړنې او ډمي درجې لپاره 6 انچه 150 ملي میتر سیلیکون کاربایډ SiC ویفرونه 4H-N ډول
-
۸ انچه ۲۰۰ ملي متره ۴H-N SiC ویفر کنډکټیو ډمي څیړنیز درجه
-
۲ انچه سیلیکون کاربایډ ویفرونه ۶H یا ۴H N ډوله یا نیمه انسولیټینګ SiC سبسټریټونه