4 انچه لوړ پاکوالی Al2O3 99.999% سیفایر سبسټریټ ویفر Dia101.6×0.65mmt د لومړني فلیټ اوږدوالی سره
تفصیل
د 4 انچ نیلم ویفر عام مشخصات په لاندې ډول معرفي شوي:
ضخامت: د عام نیلم ویفرونو ضخامت د 0.2 ملي میتر او 2 ملي میتر ترمینځ دی ، او ځانګړي ضخامت د پیرودونکو اړتیاو سره سم تنظیم کیدی شي.
د ځای پرځای کولو څنډه: معمولا د ویفر په څنډه کې یوه کوچنۍ برخه شتون لري چې د "پلاسمینټ څنډه" په نوم یادیږي چې د ویفر سطح او څنډه ساتي ، او معمولا بې کاره وي.
د سطحې چمتو کول: عام نیلم ویفرونه په میخانیکي ډول په ځمکه او کیمیاوي ډول په میخانیکي ډول پالش شوي ترڅو سطح نرم کړي.
د سطحې ځانګړتیاوې: د نیلم ویفر سطح معمولا ښه نظری ځانګړتیاوې لري، لکه ټیټ انعکاس او ټیټ انعکاس شاخص، د وسیلې فعالیت ښه کولو لپاره.
غوښتنلیکونه
● د III-V او II-VI مرکبونو لپاره د ودې سبسټریټ
● الکترونیکي او آپټو الکترونیکي
● IR غوښتنلیکونه
● سیلیکون آن سیفایر انټیګریټ سرکټ (SOS)
● د راډیو فریکونسی مدغم سرکټ (RFIC)
مشخصات
| توکي | 4-انچ سي-پلان (0001) 650μm سیفایر ویفرونه | |
| کرسټال مواد | 99,999٪، لوړ پاکوالی، Monocrystalline Al2O3 | |
| درجه | لومړی، ایپي چمتو دی | |
| د سطحې اورینشن | سي الوتکه (0001) | |
| د C-الوتکي بند زاویه د M-axis 0.2 +/- 0.1° په لور | ||
| قطر | 100.0 mm +/- 0.1 mm | |
| موټی | 650 μm +/- 25 μm | |
| لومړني فلیټ اورینټیشن | A- الوتکه(11-20) +/- 0.2° | |
| د لومړني فلیټ اوږدوالی | 30.0 mm +/- 1.0 mm | |
| واحد اړخ پالش شوی | مخکینۍ سطحه | Epi-پالش، Ra <0.2 nm (د AFM لخوا) |
| (SSP) | شاته سطحه | ښه ځمکه، Ra = 0.8 μm څخه تر 1.2 μm پورې |
| دوه اړخیزه پالش شوی | مخکینۍ سطحه | Epi-پالش، Ra <0.2 nm (د AFM لخوا) |
| (DSP) | شاته سطحه | Epi-پالش، Ra <0.2 nm (د AFM لخوا) |
| TTV | < 20 μm | |
| BOW | < 20 μm | |
| WARP | < 20 μm | |
| پاکول / بسته بندي | د 100 ټولګي د پاکولو خونې پاکول او د خلا بسته کول، | |
| 25 ټوټې په یوه کیسټ بسته بندۍ یا د واحد ټوټه بسته بندۍ کې. | ||
موږ د نیلم پروسس صنعت کې ډیری کلونه تجربه لرو.په شمول د چینایي عرضه کوونکي بازار، او همدارنګه د نړیوال تقاضا بازار.که تاسو کومه اړتیا لرئ، مهرباني وکړئ موږ سره اړیکه ونیسئ.
تفصيلي ډياګرام
