50.8mm 2inch GaN په نیلم ایپي لیر ویفر کې
د ګیلیم نایټریډ GaN اپیټیکسیل شیټ کارول
د ګیلیم نایټریډ فعالیت پراساس ، د ګالیم نایټریډ ایپیټیکسیل چپس په عمده ډول د لوړ ځواک ، لوړې فریکونسۍ او ټیټ ولټاژ غوښتنلیکونو لپاره مناسب دي.
په دې کې منعکس کیږي:
1) لوړ بانډګاپ: لوړ بانډګاپ د ګیلیم نایټریډ وسیلو ولتاژ کچه ښه کوي او کولی شي د ګیلیم ارسنایډ وسیلو په پرتله لوړ ځواک تولید کړي ، کوم چې په ځانګړي توګه د 5G ارتباطي بیس سټیشنونو ، نظامي رادار او نورو برخو لپاره مناسب دی؛
2) د لوړ تبادلې موثریت: د ګیلیم نایټریډ سویچنګ بریښنا بریښنایی وسیلو مقاومت د سیلیکون وسیلو په پرتله د 3 آرډر اندازه ټیټه ده ، کوم چې کولی شي د بدلیدو زیان د پام وړ کم کړي؛
3) لوړ حرارتي چالکتیا: د ګیلیم نایټریډ لوړ حرارتي چالکتیا د دې لامل کیږي چې د تودوخې تخریب عالي فعالیت ولري ، د لوړ ځواک ، لوړ تودوخې او نورو وسیلو تولید لپاره مناسب؛
4) د برقی برقی ساحه ځواک: که څه هم د ګالیم نایټرایډ برقی برقی ساحه ځواک د سیلیکون نایټرایډ سره نږدې دی، د سیمی کنډکټر پروسې، د موادو د جالوالی بې اتفاقۍ او نورو فکتورونو له امله، د ګالیم نایټراید وسایلو ولتاژ زغم معمولا شاوخوا 1000V دی، او د خوندي استعمال ولتاژ معمولا د 650V څخه ښکته وي.
| توکي | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| ابعاد | e 50.8mm ± 0.1mm | ||
| موټی | 4.5±0.5 um | 4.5±0.5um | |
| اوریدنه | C- الوتکه(0001) ±0.5° | ||
| د کنډکشن ډول | N-ډول (نه جوړ شوی) | N-ډول (Si-doped) | P-ډول (Mg-doped) |
| مقاومت (3O0K) | <0.5 Q・cm | <0.05 Q・cm | ~ 10 Q・cm |
| د کیریر غلظت | < 5x1017سانتي متر-3 | > 1x1018سانتي متر-3 | > 6x1016 سانتي متره-3 |
| خوځښت | ~ 300 سانتي متره2/ vs | ~ 200 سانتي متره2/ vs | ~ 10 سانتي متره2/ vs |
| د بې ځایه کیدو کثافت | له 5x10 څخه کم8سانتي متر-2(د XRD د FWHMs لخوا حساب شوی) | ||
| د سبسټریټ جوړښت | GAN on Sapphire (معیاري: SSP اختیار: DSP) | ||
| د استعمال وړ سطحي ساحه | > ۹۰٪ | ||
| بسته | د 100 ټولګي پاکې خونې چاپیریال کې بسته شوي ، د 25pcs کیسټونو یا واحد ویفر کانټینرونو کې ، د نایټروجن فضا لاندې. | ||
* نور ضخامت تنظیم کیدی شي
تفصيلي ډياګرام
