100mm 4inch GaN on Sapphire Epi-layer wafer Gallium nitride epitaxial wafer

(1) د لوړې تودوخې پخول ، د نیلم سبسټریټ لومړی په هایدروجن اتموسفیر کې 1050 ℃ ته تودوخه کیږي ، هدف یې د سبسټریټ سطح پاکول دي؛

(2) کله چې د سبسټریټ تودوخه 510 ℃ ته راښکته شي ، د ټیټ تودوخې GaN/AlN بفر طبقه د 30nm ضخامت سره د نیلم سبسټریټ په سطح کې زیرمه کیږي؛

(3) د تودوخې درجه 10 ℃ ته لوړیږي، د عکس العمل ګاز امونیا، trimethylgallium او silane په ترتیب سره د ورته جریان کچه کنټرولوي، او د 4um ضخامت سیلیکون-ډوپډ N-type GaN وده کوي؛

(4) د trimethyl المونیم او trimethyl gallium عکس العمل ګاز د 0.15um ضخامت سره د سیلیکون ډوپ شوي N-type A⒑ براعظمونو چمتو کولو لپاره کارول شوی و.

(5) 50nm Zn-doped InGaN د 8O0 ℃ په تودوخې کې د trimethylgallium، trimethylindium، Diethylzinc او امونیا په انجیک کولو او په ترتیب سره د مختلف جریان نرخونو کنټرولولو سره چمتو شوی.

(6) د تودوخې درجه 1020 ℃ ته لوړه شوې، trimethylaluminum، trimethylgallium او bis (cyclopentadienyl) مګنیزیم د 0.15um Mg doped P-type AlGaN او 0.5um Mg doped P-type G د وینې ګلوکوز چمتو کولو لپاره انجیکشن شوي؛

(7) د لوړ کیفیت P-type GaN Sibuyan فلم په 700℃ کې د نایتروجن فضا کې د انیل کولو له لارې ترلاسه شوی؛

(8) د P-type G stasis په سطحه د اینچنګ کول ترڅو د N-type G stasis سطح ښکاره کړي؛

(9) د p-GaNI سطحه د Ni/A تماس پلیټونو تبخیر، د ll-GaN په سطحه د △/Al تماس پلیټونو تبخیر ترڅو الکترودونه جوړ کړي.