سبسټریټ
-
سیلیکون کاربایډ SiC انګوټ 6 انچ N ډول ډمي / د لومړي درجې ضخامت کولی شي دودیز شي
-
SiC Ingot 4H-N ډول ډمي درجې 2 انچ 3 انچ 4 انچ 6 انچ ضخامت: 10mm
-
د HPSI SiC ویفر ډیا: 3 انچ ضخامت: 350um± 25 µm د بریښنا بریښنایی لپاره
-
د 3 انچ لوړ پاکوالی نیمه انسولیټینګ （HPSI）SiC ویفر 350um ډمي درجې لومړی درجه
-
د Sic سبسټریټ سیلیکون کاربایډ ویفر 4H-N ډوله د لوړ سختۍ سنګر مقاومت د لومړي درجې پالش کول
-
2 انچ 6H-N سیلیکون کاربایډ سبسټریټ Sic ویفر ډبل پالش کنډکټیو پرائم ګریډ Mos درجې
-
2 انچ سیلیکون کاربایډ ویفر 6H-N ډول د لومړي درجې څیړنې درجې ډمي درجې 330μm 430μm ضخامت
-
2 انچ سیلیکون کاربایډ سبسټریټ 6H-N دوه اړخیزه پالش قطر 50.8mm د تولید درجې تحقیق درجه
-
p-ډول 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC سبسټریټ 4 انچ 〈111〉± 0.5° صفر MPD
-
د SiC سبسټریټ P-ډول 4H/6H-P 3C-N 4inch د 350um ضخامت سره د تولید درجې ډمي درجې
-
4H/6H-P 6inch SiC ویفر صفر MPD درجې تولید درجې ډمي درجه
-
د P-ډول SiC ویفر 4H/6H-P 3C-N 6 انچه ضخامت 350 μm د لومړني فلیټ اورینټیشن سره